二次电子分辨率 3.0nm 高真空背散射电子分辨率4.0nm加速电压 0.3-30KV预对中钨灯丝
可以导电样品进行形貌观察,操作简单,分辨率可达到3.0nm
配置相应二次电子及背散射电子探头,可同时呈现二次电子及背散射电子图像,配有AIF能谱仪可进行成分元素分析