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应力灵敏度:对金属氧化物陶瓷,在浅表区域(<5μm)≤10MPa,内部区域(≥5μm)≤100MPa;对半导体,在浅表区域(<5μm)≤10MPa,内部区域(≥5μm)≤10MPa; 面内分辨率:在浅表区域(<5μm)≤2μm,内部区域(≥5μm)为2-100μm; 测量范围(面内):≥50×50mm2; 测量范围(深度):对金属氧化物陶瓷≥300μm,对半导体≥5mm; 测试时间:对金属氧化物陶瓷,单点测量≤1min,解耦测量≤5min;对半导体,单点测量≤0.5min,解耦测量≤3min;原位偏差:x/y/z轴移动偏差≤2μm,z轴旋转偏差≤0.01°。
太赫兹时域光谱分析、拉曼光谱分析、荧光光谱分析、X射线衍射分析;对异质膜基结构进行内部应力和相结构表征,样品包含陶瓷材料,半导体材料等
无
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