主要规格及技术指标

电子束系统
（1）离子源种类：液态Ga离子源；
（2）交叉点分辨率：4.0 nm@30 kV（多边法），2.5 nm@30 kV（选边法）；
（3）加速电压：500 V-30 kV；
（4）配备Pt、C、W三路气体沉积，可在离子束、电子束诱导下进行Pt、C、W等的沉积。
2.电子束系统
（1）电子枪类型：带有单色器的肖特基场发射灯丝；
（2）分辨率：在最佳工作距离：0.6 nm@15 kV，0.7 nm@1 kV；
在束交叉点：0.6 nm@15 kV，1.2 nm@1 kV；
（3）加速电压：350 V-30 kV（连续可调）；
（4）束流强度：0.8 pA-100 nA。

主要功能及特色

1. 用于高分辨率S/TEM和原子探针断层扫描（APT）样品制备，可实现自动化、高质量、定点、超薄样品制备；
2.自动切片与成像，可进行三维图像重构，配合能谱仪和电子背散射衍射仪可进行成分和织构的三维重构；
3.多层纳米结构图形生成及加工功能，可实现复杂结构的精确加工；
4.多达6个集成化镜筒内及透镜下探测器，采集优质、锐利、无荷电图像，可获得亚纳米分辨率图像，提供最完整的样品信息；

主要附件及配置

1.配备170 mm2高速能谱仪和高精度、高速率的EBSD，可实现快速成分和织构分析；
2.配备冷冻样品台和冷冻机械手，可实现低温样品制备；
3.配备样品真空转移装置，可实现双束电镜和手套箱之间的真空转移，避免部分样品因接触空气导致的氧化。