主要规格及技术指标

1.离子源：Ga离子液态离子源。
2.离子束交叉点分辨率：2.5 nm@30 kV（选边法），4.0 nm@30 kV （多边法）。
3.离子束加速电压：0.5 kV ~ 30 kV。
4.离子束流强度：1.0 pA ~ 100 nA。
5.气体注入系统（W/Pt/C沉积）。
6.电子束分辨率：0.6nm@2KV/0.7nm@1KV/1.0nm@500V
7.电子束加速电压：350V-30KV（连续可调），减速模式-4KV-0V
8.电子束束流强度：0.8pA-100nA
9.X、Y 方向移动范围 150 mm；Z 范围 10 mm；倾斜范围-10°至 60°；可绕 Z 轴旋转任意角度 (360°)
10.全自动透射样品样品制备功能，可以进行冷冻制样；
11.全套三维成像解决方案，可以进行低温成像；
12.具备多种监控手段(SPI/iSPI/iRTM)，可以实时监控加工进度
13.能谱仪Ultim Max 100：能量分辨率：Mn Ka处实际验收数据123eV，C Ka 48eV，F Ka 56eV；元素分析范围：Be4～Cf98；具备元素面分布实时刷新显示功能；定性及定量分析。
14.电子背散射衍射仪-Symmetry S3：高速低噪音CMOS相机，分辨率1244*1024；在线解析最高标定速度实测5765Hz；MAD：0.05度；配有Aztec Crystal EBSD数据后处理软件包，和采集软件同一风格，包含且不限于如下功能：数据修饰；晶粒统计；晶界分析；应变分析；极图和反极图。

主要功能及特色

使用Ga离子束进行各类材料的纳微米级尺度高精度加工、修改、成型和高分辨成像。结合电子束高分辨显微表征、能谱和EBSD等辅助分析，进行材料高分辨微观形貌、三维结构、晶体取向及元素含量分析信息测试。利用纳米机械手，可以进行TEM样品的制备。

主要附件及配置

具备超高分辨离子束和电子束镜筒，可以实现4.0nm@30KV离子束分辨率和0.6nm@2KV/0.7nm@1KV/1.0nm@500V电子束分辨率；配置全自动透射样品样品制备功能，可以进行冷冻制样；全套三维成像解决方案，可以进行低温成像；具备多种监控手段(SPI/iSPI/iRTM)，可以实时监控加工进度；配置高分辨能谱仪和电子背散射分析仪，可实现成分分析和取向等晶体结构分析。