主要规格及技术指标

一、离子束系统
1. 离子源：Ga离子液态离子源。
2. 离子束分辨率：2.5 nm @ 30 kV（选边法）；4.0 nm @ 30 kV（多边法）。
3. 离子束加速电压：0.5 kV ~ 30 kV。
4. 离子束流强度：1.0 pA ~ 100 nA。
二、电子束系统
1. 电子束分辨率：0.6 nm @ 2 kV；0.7 nm @ 1 kV；1.0 nm @ 500 V。
2. 电子束加速电压：350 V - 30 kV（连续可调），减速模式 -4 kV - 0 V。
3. 电子束束流强度：0.8 pA - 100 nA。
三、样品台系统
1. 移动范围：X、Y 方向 150 mm；Z 方向 10 mm。
2. 倾斜范围：-10° 至 60°。
3. 旋转范围：可绕 Z 轴旋转任意角度 (360°)。
四、功能与附件
1. 气体注入系统：支持 W/Pt/C 沉积。
2. 制样与成像功能：
（1）全自动透射样品制备（可冷冻制样）。
（2）全套三维成像解决方案（可低温成像）。
3. 监控手段：具备 SPI / iSPI / iRTM 等多种实时监控加工进度的手段。
五、分析附件
1. 能谱仪 (EDS) - Ultim Max 100：
（1）能量分辨率：Mn Ka：123 eV（实际验收数据）；C Ka：48 eV；F Ka：56 eV。
（2）元素分析范围：Be4 ~ Cf98。
（3）功能：具备元素面分布实时刷新显示功能；支持定性及定量分析。
2. 电子背散射衍射仪 (EBSD) - Symmetry S3：
（1）相机：高速低噪音 CMOS 相机，分辨率 1244 * 1024。
（2）性能参数：在线解析最高标定速度：5765 Hz（实测）；MAD：0.05 度。
3. 软件功能：配有 Aztec Crystal EBSD 数据后处理软件包（与采集软件同风格），包含且不限于：数据修饰、晶粒统计、晶界分析、应变分析、极图和反极图等。

主要功能及特色

一、样品制备：利用纳米机械手，进行TEM、APT等样品的制备（常温、低温、原位芯片等）。
二、离子束加工：使用Ga离子束进行各类材料的纳微米级尺度高精度加工、修改、成型和高分辨成像。
三、综合表征分析：结合电子束高分辨显微表征、能谱（EDS）和电子背散射衍射（EBSD）等辅助分析，进行材料高分辨微观形貌、三维结构、晶体取向及元素含量等分析信息测试。

主要附件及配置

一、分析附件：配备高速能谱仪（EDS）和高精度电子背散射衍射仪（EBSD），可实现快速成分分析和织构分析。
二、制样与低温附件：配备冷冻样品台、全自动透射样品制备系统，支持低温样品制备及三维重构分析。
三、真空转移附件：配备样品真空转移装置，可实现双束电子显微镜与手套箱之间的真空转移，避免样品因接触空气导致氧化。