主要规格及技术指标

① 二次电子 (SE) 像分辨率：
高真空模式：30 kV时优于1.0nm；1 kV时优于3.0nm
低真空模式：30 kV时优于1.3nm；3 kV时优于3.0nm
环扫模式 (ESEM)：30 kV 时优于1.3nm
② 具有三种真空模式（高真空、低真空及ESEM）可灵活适应各种样品，包括易放气或在高真空环境下不稳定的样品

主要功能及特色

（1）对样品的微观表面形貌进行观察和成分分析；
（2）可实现样品加热实验，实现室温到1400℃范围内对样品进行观察；
（3）可实现样品低温实验，可以实现样品在-20℃到50℃范围内观察；
（4）可以对部分超薄样品进行透射电子观察，从而分析样品的内部结构信息；
（5）可以对某些特定发光样品的发光位置和波长分析；
（6）具有三种真空模式（高真空、低真空、环境真空），可以对各种样品类型进行观察和分析；
（7）加热样品和冷冻样品台配合样品仓通气，可以实现样品原位变温气氛观察分析；
（8）样品室多分析接口，可以实现各种分析附件的扩展；
（9）强大的自动化功能；
（10）多种探测器检测能力，可以实现样品多方面的检测。

主要附件及配置

（1）1400℃加热样品台
（2）冷冻样品台
（3）可伸缩定向背散射电子探测器
（4）可伸缩扫描透射电子探测器
（5）可伸缩阴极荧光探测器