二次电子分辨率:高真空模式分辨率:4.0 nm@20 kV; 15.0 nm@1 kV
放大倍率范围: 16-800000× 加速电压: 0.3-20 kV
背散射电子分辨率: 低真空模式分辨率:5.0 nm@20 kV
能谱探测器:分析型SDD硅漂移电制冷探测器 有效面积:≥30mm2
能谱元素分析范围:B5~Cf98
能量分辨率:Mn Ka保证优于129eV(@计数率50,000cps)
具有总发射电流和束斑较大,相对稳定,操作便捷,维持费用较低等特点,常用于对固体物质进行微观形貌观察及微区元素定性定量分析。
分析型SDD硅漂移电制冷探测器,五分割背散射电子探测器
公告名称 | 公告内容 | 发布日期 |
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