(1)曝光波长:350-450nm(2) 曝光灯功率:350W(3) 分辨率:优于0.8?m(光刻胶厚度1微米时)(4) 套刻精度:优于0.5?m(5) 曝光光强: 大于40mW/
在光刻胶上曝光处所需的pattern
无