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仪器详情
等离子刻蚀沉积台
仪器编号
2016017702
规格
生产厂家
无锡晶科瑞科技有限公司
型号
P5000-MARK Ⅱ-J
制造国家
中国
分类号
放置地点
卫津路校区第一阶梯教室(东)精仪学院MEMS实验室东阶梯东阶梯实验室
出厂日期
1970-01-01
购置日期
1970-01-01
入网日期
2021-06-05
主要规格及技术指标
设备包含至少一个刻蚀腔、一个沉积腔及一个传送腔；刻蚀腔可以用于刻蚀硅晶圆；沉积腔可以用于沉积SiO2；可以刻蚀/沉积4寸晶圆；硅刻蚀速率：10000±500 A/min；
主要功能及特色
微机电器件制备与研究
主要附件及配置
无
| 公告名称 | 公告内容 | 发布日期 |
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