包含磁控离子束溅射室、CVD室、ALD室、进样室、磁控溅射靶、Kaufman离子枪及电源等,至少三靶。CVD室可达6.6E-5Pa;溅射室可达6.6E-6Pa;ALD室10Pa;进样室可达9E-5Pa
功能薄膜制备
无